IRF9321TRPBF-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:15A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:5.8mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具备30V漏源耐压（VDSS），可承载最大连续漏极电流15A（ID），导通电阻低至5.8mΩ（RDON），有效降低导通状态下的功率损耗。器件采用先进工艺制造，具有优异的热稳定性和可靠性，适用于各类电源转换、负载开关、电池管理系统及高效能DC-DC变换器等场景，在高效率与小型化设计中表现突出。
