IRF9328TRPBF-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:12A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:10mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源击穿电压（VDSS），支持最大连续漏极电流12A（ID），导通电阻仅为10mΩ（RDON），确保在高负载条件下仍能保持较低的导通损耗。该器件适用于各类电源管理电路、开关稳压器、电池保护模块及便携式设备中的高效能转换系统，具备良好的热稳定性和响应速度，适合对空间与效率有较高要求的设计场景。
