IRF9317TRPBF-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:15A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:5.8mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V漏源电压（VDSS）耐受能力，支持最大连续漏极电流15A（ID），导通电阻低至5.8mΩ（RDON），可显著降低导通损耗并提升系统效率。器件适用于各类电源管理应用，如开关电源、DC-DC转换器、负载开关及电池供电设备，具备良好的热稳定性和快速响应特性，适合对效率与空间布局有较高要求的电路设计。
