FDS6673AZ-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:15A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:5.8mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本P沟道场效应管（MOSFET）具有30V漏源电压（VDSS）和15A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至5.8mΩ，有效降低功率损耗并提升系统效率。器件采用成熟稳定的制造工艺，具备良好的热管理和可靠性表现，适用于电源转换、开关电路、负载控制等多样化应用场合。其P沟道设计在逻辑驱动与低边开关中展现良好性能，适合对效率与稳定性有较高要求的电子设备使用。
