UPA2736GR-E1-AX-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:15A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:5.8mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具备15A连续漏极电流（ID）和30V漏源击穿电压（VDSS）能力，导通电阻（RDON）仅为5.8mΩ，可有效减小导通损耗，提升系统效率。器件基于高可靠性工艺设计，具有良好的热稳定性和耐用性，适用于电源管理、开关控制、负载调节等多种应用场景。其P沟道结构适合用于低边开关及逻辑电平驱动电路中，满足多种高性能电子设备对功率器件的技术需求。
