SI4946BEY-T1-GE3-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:6.5A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:32mR 参数4：沟道类型:N+N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款NN沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：最大漏极电流ID为6.5A，漏源击穿电压VDSS为60V，导通电阻RDON为32mΩ。该器件采用双沟道结构，适合需要双向控制与功率切换的应用场景。广泛应用于电源转换、电池管理、负载开关及各类便携式电子设备中的功率调节模块，具备良好的热稳定性和动态响应能力，适用于多种中低压电路设计需求。
