SQ4946CEY-T1_GE3-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:6.5A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:32mR 参数4：沟道类型:N+N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款NN沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：最大漏极电流ID为6.5A，漏源击穿电压VDSS为60V，导通电阻RDON为32mΩ。采用双沟道结构设计，支持双向功率控制，适用于多种中低压电路应用场景。该器件常用于电源管理系统、电池充放电控制、DC-AC转换电路以及各类便携式电子设备中的功率调节模块，具备良好的热稳定性与动态响应性能，可满足多样化电路设计需求。
