PMV100XPEA215-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:3A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:100mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款场效应管（MOSFET）为P沟道增强型器件，适用于低电压功率控制场合。其主要参数包括：漏极电流ID为3A，漏源电压VDSS为20V，导通电阻RDON为100mΩ，适合用于电池供电设备及小型电源管理系统。该器件具备较好的开关响应速度和热稳定性，可广泛应用于便携式电子产品、LED驱动电路、负载开关以及各类低功耗控制模块中。其封装形式灵活，便于实现紧凑化电路设计与良好散热效果。
