DMG3407SSN-7-HXY_SOT-23-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:4.1A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:42mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为P沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于多种电源管理与模拟开关应用场景。其漏极电流ID可达4.1A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON为42mΩ，具备良好的导通性能与开关响应特性。器件设计兼顾效率与稳定性，适合用于电池供电设备、便携式电子产品、DC-DC转换电路及各类低功率电源管理系统中，为电路提供高效、可靠的控制与传输路径。
