PMV33UPE-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:5A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:30mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本P沟道场效应管（MOSFET）具有20V漏源耐压（VDSS），可持续通过5A漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至30毫欧，表现出优异的导通性能与较低的功率损耗。器件适用于各类中低功率电源管理系统，如DC-DC转换器、负载开关、电池管理电路及便携式电子设备中的功率控制单元，可满足高效能、小型化电路设计需求，提供稳定可靠的开关与导通表现。
