SI2399DS-T1-BE3-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:5A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:30mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本P沟道场效应管（MOSFET）具备20V漏源电压（VDSS）和5A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）仅为30毫欧，适用于中低功率电源管理应用。器件基于成熟半导体工艺打造，具备良好的热稳定性与快速响应特性，适合用于DC-DC转换、负载开关、电池供电设备及各类中小型功率电路中，实现高效的能量控制与稳定的系统运行。
