IRLR2905ZTRPBF-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:50A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:11mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备60V的漏源耐压（VDSS）和50A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至11mΩ，适用于高效率电源转换与功率控制场景。器件采用成熟工艺制造，具有良好的热稳定性和可靠性，可广泛用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关及电池管理系统中，满足高频开关与低损耗设计需求。
