SI2399DS-T1-GE3-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:5A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:30mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具有20V的漏源耐压（VDSS），可承载连续漏极电流（ID）达5A，导通电阻（RDON）低至30毫欧，适用于需要高效功率控制的场景。器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和快速开关特性，适用于电源管理、便携式设备、DC-DC转换器及各类中低功率电路设计，为电路提供可靠的能量传输与控制能力。
