AUIRFR2905ZTRL-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:50A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:11mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本N沟道场效应管（MOSFET）具有60V漏源电压（VDSS）和50A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至11mΩ，可实现高效、低损耗的功率控制。器件采用先进封装技术，具备良好的散热性能与可靠性，适用于各类电源系统，如开关电源、DC-DC转换器、电池管理系统及高精度电机驱动电路，支持高频运行与紧凑型设计需求。
