IRFR2405TRPBF-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:50A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:11mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有低导通电阻特性，典型值为11mΩ，在持续工作电流达50A的情况下仍能保持高效稳定运行。器件的漏源击穿电压为60V，适用于中高功率电源管理应用。采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和耐久性，可广泛用于各类电子设备中的开关电源、电机控制和负载管理等场景，满足对效率与可靠性有较高要求的设计需求。
