AUIRLR2905ZTRL-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:50A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:11mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道增强型场效应管（MOSFET）具备50A连续漏极电流能力，漏源电压耐受值为60V，导通状态下漏源电阻低至11mΩ。器件采用优化设计，具备快速开关响应和低损耗特性，适用于多种电源转换及功率控制场景。其高可靠性与良好的热稳定性可满足复杂电路对性能的一致性要求，适合用于电源适配器、储能系统、智能家电以及精密仪器等电子设备中。
