IRFR2405TRLPBF-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:50A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:11mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本N沟道场效应管（MOSFET）具有50A的连续漏极电流承载能力，漏源电压最大耐受为60V，导通电阻典型值为11mΩ，可有效降低功率损耗。器件基于成熟半导体工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于多种中高功率电子系统。可广泛应用于电源管理模块、DC-DC转换器、电机驱动电路及智能负载控制等场景，满足对效率与稳定性有较高要求的电路设计需求。
