DMTH6016LK3-13-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:50A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:11mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有60V漏源电压（VDSS）与50A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻仅为11mΩ（RDON），有效降低功率损耗并提升整体效率。器件结构稳定，适用于多种高要求电路环境，如高效电源转换、负载控制、开关电路及便携式设备中的功率管理模块，为系统提供可靠性能支持。
