SCT3040KLGC11-HXY_TO-247_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:68A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:40mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本款N沟道场效应晶体管（MOSFET）具备1200V的漏源击穿电压（VDSS）和68A的最大漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至40毫欧，展现出优异的导电能力与低损耗特性。器件基于高性能半导体工艺，支持高效能开关应用，适用于高功率密度电源系统、新能源发电设备中的功率变换模块以及高效率适配器等场景，助力实现小型化与高效能并重的电路设计。
