DMTH6016LK3Q-13-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:50A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:11mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本N沟道场效应管（MOSFET）具有60V漏源击穿电压（VDSS）和50A连续漏极电流（ID）能力，导通状态下的漏源电阻低至11mΩ（RDON），可显著减少导通损耗，提升系统能效。器件采用优化设计，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于高效率电源转换器、开关稳压电路、电池管理系统及各类便携式电子设备中的功率控制应用，满足对性能与尺寸均有较高要求的使用场景。
