NVBG040N120SC1-HXY_TO-263-7L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263-7L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：800/圆盘 参数1：电流ID:68A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:40mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具有良好的导通特性和高效的开关表现。其额定漏极电流ID为68A，导通电阻RDON为40mΩ，有助于降低功率损耗并提升整体系统效率。该器件基于碳化硅材料设计，具备耐高压、耐高温及抗电磁干扰等特性，适用于高频率电力转换、高效能电源管理及高性能功率模块等多种应用场合，满足复杂电路对稳定性和可靠性的要求。
