C3M0350120D-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:7A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:320mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款碳化硅N沟道场效应管（MOSFET）具有1200V的漏源击穿电压（VDSS），支持7A连续漏极电流（ID），导通电阻为320mΩ（RDON），在高压与高频应用中表现出色。基于碳化硅材料的优势，该器件具备更高的热稳定性和更低的能量损耗，适用于电源转换、新能源设备及高效率电路设计。其优异的开关性能和耐压能力，使其在复杂电磁环境中仍能保持可靠运行。
