C2M0280120D-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:7A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:320mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款碳化硅N沟道场效应管（MOSFET）具备1200V的漏源击穿电压（VDSS），支持7A连续漏极电流（ID），导通电阻为320mΩ（RDON），展现出优异的高压与高频工作性能。凭借碳化硅材料特性，该器件在高温、高频率环境下仍能保持稳定运行，适用于电源转换、无线充电、光伏逆变等高效率电路系统。其高耐压能力和良好的导电性能，使其成为高性能电力电子装置的理想选择。
