STD2LN60K3-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:2A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:4200mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数为：漏极电流ID为2A，漏源击穿电压VDSS为650V，导通电阻RDON为4200mΩ。该器件具备较高的耐压能力与良好的开关特性，适用于中功率电源转换、电池管理系统、智能照明控制及各类消费类电子设备中的功率控制电路。其性能稳定，能够满足多种通用型高压应用场景的技术需求。
