C3M0040120J1-HXY_TO-263-7L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263-7L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：800/圆盘 参数1：电流ID:68A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:40mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款碳化硅N沟道场效应管（MOSFET）具备优异的电学性能，漏极电流ID为68A，漏源击穿电压VDSS达1200V，导通电阻RDON仅为40mΩ，支持高效、低损耗的电力传输。基于碳化硅材料的优势，该器件具备更高的热稳定性和开关效率，适用于高频率、高功率电源转换系统，如高效能适配器、储能设备、智能电网以及精密电子控制模块等应用场景。
