SCT3040KW7TL-HXY_TO-263-7L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263-7L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：800/圆盘 参数1：电流ID:68A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:40mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：漏极电流ID为68A，漏源击穿电压VDSS为1200V，导通电阻RDON为40mΩ。该器件适用于高电压和大电流工作环境，具备良好的导电性能和稳定的工作表现。可广泛应用于电源转换、电机控制、储能系统及高性能电子设备中，满足对效率与可靠性有较高要求的电路设计需求。
