FQD2N60CTF-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:2A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:4200mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有650V的漏源击穿电压（VDSS），可承载最大2A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为4200mΩ。该参数组合使其适用于中功率开关电路、电源转换及小型电子设备中的高频整流和控制场景，具备良好的热稳定性和响应速度，适合用于各类需要高效能、小体积功率器件的设计中。
