HINN700TK190B_TO-252-2L_氮化镓晶体管(GaN HEMT)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：氮化镓晶体管(GaN HEMT) 最小包装：2500/盘 参数1：电流ID:10A 参数2：电压VDSS:700V 参数3：RDON:160mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本产品为高性能氮化镓晶体管（GaN HEMT），采用N沟道结构，具备优异的导通与开关特性。主要参数包括：最大漏极电流ID为10A，漏源击穿电压VDSS高达700V，导通电阻RDON低至160mΩ，可支持高效率、高频率的电力转换应用。该器件适用于电源适配器、无线充电、LED驱动及通信设备等领域的功率管理场景，提供紧凑设计与高效能表现的基础支持。
