INN700TK190B_TO-252-2L_氮化镓晶体管(GaN HEMT)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：氮化镓晶体管(GaN HEMT) 最小包装：2500/盘 参数1：电流ID:10A 参数2：电压VDSS:700V 参数3：RDON:160mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT），采用N沟道结构设计，具备优异的高频与高效能特性。主要参数包括：漏极电流ID为10A，漏源耐压VDSS达700V，导通电阻RDON为160mΩ，支持快速开关与低损耗运行。适用于高功率密度电源转换系统、消费类快充设备、射频功率放大器及高效率直流变换器等应用场景，满足对小型化与高性能并重的设计需求。
