INN700TK190C_TO-252-2L_氮化镓晶体管(GaN HEMT)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：氮化镓晶体管(GaN HEMT) 最小包装：2500/盘 参数1：电流ID:10A 参数2：电压VDSS:700V 参数3：RDON:160mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT），属于N沟道增强型器件，具备高耐压与低导通损耗特性。主要参数包括：最大漏极电流ID为10A，漏源击穿电压VDSS为700V，导通电阻RDON为160mΩ，支持高频开关与高效功率转换。适用于消费类电源适配器、无线充电系统、LED照明驱动及通信基础设施中的高效能电源模块，助力实现更高效率与更小体积的电路设计。
