INN700TK240B_TO-252-2L_氮化镓晶体管(GaN HEMT)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：氮化镓晶体管(GaN HEMT) 最小包装：2500/盘 参数1：电流ID:10A 参数2：电压VDSS:700V 参数3：RDON:160mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT），采用N沟道结构，具备优异的导通与开关性能。主要参数包括：最大漏极电流ID为10A，漏源击穿电压VDSS达700V，导通电阻RDON低至160mΩ，可支持高效率、高频率的电力转换应用。该器件适用于消费类电源、高效能适配器、无线充电设备及精密电机控制等领域，提供稳定可靠的功率解决方案。
