2SK1317-E-HXY_TO-3PF_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-3PF 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管 参数1：电流ID:3.7A 参数2：电压VDSS:1500V 参数3：RDON:1000mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备1500V的漏源耐压（VDSS）和20V的栅源电压（VGS）能力，适合高电压应用场景。在导通状态下，其最大漏极电流可达3.7A（ID），导通电阻为1000mΩ，能够有效支持高效能电力传输与切换操作。该器件广泛应用于电源管理、开关电路、直流转换器及高电压控制等场景，提供稳定可靠的性能表现。
