STFW4N150-HXY_TO-3PF_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-3PF 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管 参数1：电流ID:3.7A 参数2：电压VDSS:1500V 参数3：RDON:1000mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备1500V漏源耐压（VDSS）和20V栅源电压（VGS）能力，适用于高电压工作环境。其最大漏极电流为3.7A（ID），导通电阻为1000mΩ，表现出良好的电流承载能力和较低的导通损耗。该器件广泛应用于电源转换、开关电路、直流-直流变换器及高压控制电路中，适合对效率与稳定性有一定要求的电力电子系统设计。
