IXTH2N150L-HXY_TO-3PF_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-3PF 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管 参数1：电流ID:3.7A 参数2：电压VDSS:1500V 参数3：RDON:1000mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备1500V漏源击穿电压（VDSS）和3.7A连续漏极电流（ID），适用于中高电压功率控制场景。导通电阻为1000mΩ（RDON），在保证开关性能的同时降低了导通损耗，栅源电压（VGS）最大支持20V，提升了器件的控制稳定性与适用范围。该器件可广泛应用于电源适配器、LED照明驱动、电机控制模块及其他电子设备中的功率调节电路，满足多种通用型高性能电路对效率与可靠性的需求。
