IXTJ4N150-HXY_TO-3PF_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-3PF 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管 参数1：电流ID:3.7A 参数2：电压VDSS:1500V 参数3：RDON:1000mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于高耐压、中功率开关应用。其主要参数包括：最大漏极电流ID为3.7A，漏源击穿电压VDSS高达1500V，导通电阻RDON为1000mΩ，栅源电压VGS为±20V，具备良好的开关特性和热稳定性。该器件可广泛应用于电源转换器、适配器、LED照明驱动、家用电器控制电路等场景，满足高频开关和高效能电力传输的设计需求。
