DMT10H025LK3-13-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:40A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:20mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备100V的漏源耐压（VDSS）和40A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至20mΩ，可显著降低导通损耗，提升系统效率。器件适用于中高功率电源转换应用，如高效能电源供应器、储能系统、电机驱动电路及智能家电中的功率控制模块。其良好的热稳定性和优异的开关特性，使其在高频工作环境下仍能保持可靠运行，满足对功率密度与能效有较高要求的设计场景。
