NVD6824NLT4G-VF01-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:40A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:20mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备100V漏源耐压（VDSS）与40A最大漏极电流（ID），适用于多种中高功率电路场景。其导通电阻低至20mΩ（RDON），有助于减少导通状态下的能量损耗，提高整体效率。器件采用成熟稳定的封装工艺，具备良好的散热性能和长期可靠性，适合用于电源转换、电机驱动、LED照明以及智能家电等领域的开关与控制应用。
