DMTH10H025SK3-13-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:40A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:20mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备100V漏源电压（VDSS）和40A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）仅为20毫欧，适用于高效率功率开关设计。器件采用优化的晶圆结构，提升了开关速度与热稳定性，可广泛用于电源适配器、电池管理系统、智能家电及通信设备中的功率控制电路，满足对能效与可靠性要求较高的应用场景。
