DMTH10H025LK3Q-13-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:40A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:20mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有100V漏源电压（VDSS）和40A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至20毫欧，支持高频、高效率的开关操作。器件结构经过优化设计，具备良好的热稳定性和较低的开关损耗，适用于电源转换器、电机驱动电路、智能家电以及通信设备中的功率控制部分，适合对性能与可靠性有较高要求的电子系统应用。
