BSC096N10LS5ATMA1-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:75A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:6.4mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有较高的电流承载能力，持续漏极电流ID可达75A，漏源电压VDSS为100V，确保在中高功率应用中的稳定性。导通电阻RD(on)低至6.4mΩ，可有效降低导通损耗，提高系统效率。适用于电源管理、开关电路、负载控制及高性能电子设备中，满足对能效和散热要求较高的场景。器件采用标准封装形式，便于集成与量产，是一款性能均衡的通用型MOSFET。
