BSC100N10NSFG-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:75A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:6.4mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道增强型场效应管（MOSFET）具备优异的电气性能，漏源电压VDSS为100V，最大持续漏极电流ID可达75A，满足中高功率场景需求。导通电阻RD(on)低至6.4mΩ，有助于减少导通损耗，提高整体效率。该器件适用于电源转换、开关控制、负载驱动及高效能电子系统，适合对热管理和电气性能有较高要求的设计。标准封装形式便于PCB布局与批量生产，是一款适用于多种通用工程应用的功率器件。
