NTMFS5C670NLT1G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:80A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:5.3mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道增强型场效应管（MOSFET）具有良好的电性能和稳定性，漏源电压VDSS为60V，最大连续漏极电流ID可达80A，导通电阻RDON典型值为5.3mΩ。该器件适用于多种中高功率电源管理与转换应用，如开关电源、电池充放电控制及直流变换器等电路。凭借较低的导通损耗和优异的热稳定性，该MOSFET可有效提升系统效率与可靠性，适合用于对性能和能效有较高要求的电子设备中。
