NTMFS5C670NT1G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:80A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:5.3mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的导通性能和稳定的工作表现。其漏极电流ID可达80A，漏源电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至5.3mΩ，适合高效率、大电流应用场景。采用先进的制造工艺，确保了器件在高频开关和功率转换中的可靠性。适用于电源管理、电池充放电控制、消费类电子设备及高性能计算设备中的功率调节与传输场景。
