SQJA04EP-T1_BE3-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:80A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:5.3mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备优异的电气性能，适用于多种高效电源管理系统。器件最大漏极电流ID为80A，漏源耐压VDSS达60V，满足较高功率应用需求；导通电阻RDON低至5.3mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。采用成熟稳定的制造工艺，保证了良好的热稳定性与可靠性。可广泛应用于开关电源、同步整流、电池保护电路及高密度电源模块等领域，支持高频运行，适应复杂工作环境，助力高性能电路设计实现。
