NVMFS5C670NLAFT1G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:80A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:5.3mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于高效率、高密度电源系统设计。其主要参数包括：最大漏极电流ID为80A，漏源耐压VDSS为60V，导通电阻RDON低至5.3mΩ，支持高电流能力与低损耗运行。器件具备良好的热稳定性和耐用性，适合用于同步整流、功率开关、DC-DC变换器及储能管理系统等应用场景。该MOSFET在高频工作条件下表现出色，有助于提升整体系统效率和响应速度，满足多样化电子设备对功率控制的严苛要求。
