SIS429DNT-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:35A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:13mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具备良好的导电能力和稳定的电气性能。其漏极电流ID为35A，漏源电压VDSS为30V，适合多种中功率应用场景。导通电阻RDON为13mΩ，有助于降低功耗并提升效率。该器件常用于电源切换、负载管理及直流电机控制等电路中，适用于智能家电、消费电子、储能设备及通信模块等多样化领域，助力实现高效、紧凑的电路设计方案。
