DMN2020LSN-7-HXY_SOT-23-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:6.5A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:14mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于中功率电源管理及高效开关应用。其主要参数包括：最大漏极电流ID为6.5A，漏源击穿电压VDSS为20V，导通电阻RDON低至14mΩ，可有效降低导通损耗并提升系统效率。器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适合用于各类消费类电子设备中的DC-DC转换、负载开关及电机驱动电路中。
