NVATS5A107PLZT4G-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:50A 参数2：电压VDSS:40V 参数3：RDON:10mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为P沟道场效应管（MOSFET），具有50A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源击穿电压（VDSS），适用于中高功率应用场景。导通电阻（RDON）低至10mΩ，可有效降低导通损耗，提高系统效率。器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于电源管理、开关电路、负载控制及便携式设备中的直流变换等场景，满足多种电子系统对高效、小型化的需求。
