DMTH4008LPSQ-13-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:55A 参数2：电压VDSS:40V 参数3：RDON:6.5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有良好的导通性能与高可靠性。其最大漏极电流ID为55A，漏源击穿电压VDSS为40V，适用于中高功率电源转换场景。导通电阻RDON低至6.5mΩ，可有效减少导通损耗，提高系统整体效率。该器件适用于各类高效能开关电路、直流电源管理模块及电机驱动设计，满足对稳定性和性能有较高要求的应用需求。
