AUIRF7805Q-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:15A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本N沟道场效应管（MOSFET）采用先进工艺制造，具备优异的导通性能，导通电阻（RDON）低至7.5mΩ，有效减少功率损耗并提升整体效率。器件漏源耐压（VDSS）为30V，持续工作电流（ID）可达15A，适用于多种中高功率应用场景。其结构设计优化，具备良好的热稳定性和耐用性，可广泛用于电源管理、开关电路、电机控制及各类电子设备中的功率调节单元。
